आईईसी 61967-2 चिप टेस्ट इंटीग्रेटेड सर्किट गीगाहर्ट्ज़ ट्रांसवर्स इलेक्ट्रो मैग्नेटिक सेल

आईईसी 61967-2 चिप टेस्ट इंटीग्रेटेड सर्किट गीगाहर्ट्ज़ ट्रांसवर्स इलेक्ट्रो मैग्नेटिक सेल

चिप टेस्ट इंटीग्रेटेड सर्किट जीटीईएम सेल के लिए उत्पाद अवलोकन:

GTEM (गीगाहर्ट्ज़ ट्रांसवर्स इलेक्ट्रो मैग्नेटिक) गीगाहर्ट्ज़ ट्रांसवर्स इलेक्ट्रोमैग्नेटिक वेव सेल 20GHz तक की आवृत्ति वाला सिंगल-पोर्ट बंद वेवगाइड है।

विद्युत चुम्बकीय संगतता परीक्षण के लिए जीटीईएम (गीगाहर्ट्ज़ ट्रांसवर्स इलेक्ट्रोमैग्नेटिक वेव) का उपयोग करना हाल के वर्षों में अंतर्राष्ट्रीय विद्युत चुम्बकीय संगतता के क्षेत्र में विकसित एक नई माप तकनीक है।जीटीईएम की ब्रॉडबैंड विशेषताओं (प्रत्यक्ष धारा से माइक्रोवेव तक) और कम लागत (एनीकोइक चैम्बर की लागत का केवल कुछ प्रतिशत) के कारण, इसका उपयोग विद्युत चुम्बकीय विकिरण संवेदनशीलता परीक्षण (ईएमएस परीक्षण, जिसे कभी-कभी प्रतिरक्षा परीक्षण भी कहा जाता है) के लिए किया जा सकता है।इसका उपयोग विद्युत चुम्बकीय विकिरण परीक्षण (ईएमआई परीक्षण) के लिए भी किया जा सकता है और उपयोग किए गए उपकरण (एनीकोइक कक्ष में परीक्षण की तुलना में) का विन्यास सरल है।लागत सस्ती है और इसका उपयोग तेज़ और स्वचालित परीक्षण के लिए किया जा सकता है, इसलिए प्रासंगिक अंतरराष्ट्रीय और घरेलू लोगों द्वारा इस पर अधिक से अधिक ध्यान दिया गया है।उनमें से, विशेष रूप से छोटे उपकरणों के परीक्षण के लिए, जीटीईएम सेल का माप समाधान सर्वोत्तम प्रदर्शन-मूल्य अनुपात के साथ सबसे अच्छा परीक्षण समाधान है।

चिप टेस्ट इंटीग्रेटेड सर्किट जीटीईएम सेल के लिए परीक्षण मानक:

जीटीईएम सेल (गीगाहर्ट्ज़ ट्रांसवर्स इलेक्ट्रो मैग्नेटिक) जीटीईएम सेल का ईएमसी मानक:

ईएमआई मानक: विद्युत और इलेक्ट्रॉनिक उपकरणों (घटकों) के विकिरणित उत्सर्जन के मूल्यांकन के लिए एक सामान्य आधार स्थापित करें।

IEC 61967-2 एकीकृत सर्किट 150kHz से 1GHz तक विद्युत चुम्बकीय उत्सर्जन का मापन भाग 2: विकिरणित उत्सर्जन माप TEM सेल विधि।

ईएमएस मानक: विकिरणित विद्युत चुम्बकीय क्षेत्र के हस्तक्षेप का विरोध करने के लिए विद्युत और इलेक्ट्रॉनिक उपकरणों की क्षमता का मूल्यांकन करने के लिए एक सामान्य आधार स्थापित करना।

IEC 62132-2 एकीकृत सर्किट की विद्युतचुंबकीय प्रतिरक्षा का माप 150kHz ~ 1GHz भाग 2: TEM और GTEM सेल विधि।

आईईसी 61000-4-20, एन 61000-4-20

आईईसी 61000-4-3, एन 61000-4-3

आईईसी 61000-6-3, एन 61000-6-3

आईईसी 61000-6-4, एन 61000-6-4

आईएसओ 11452-3, एसएई जे1113-24

चिप परीक्षण इंटीग्रेटेड सर्किट जीटीईएम सेल के लिए संरचना:

मापी गई वस्तु को समायोजित करने के लिए जीटीईएम को 50Ω समाक्षीय केबल के स्थानिक विस्तार के रूप में माना जा सकता है।समाक्षीय केबल के कोर तार को जीटीईएम सेल की कोर प्लेट के रूप में विस्तारित किया जाता है, और समाक्षीय केबल के आवरण को जीटीईएम सेल के खोल में बनाया जाता है।जीटीईएम सेल के अंदर विशेषता प्रतिबाधा अभी भी 50Ω के रूप में डिज़ाइन की गई है।आंतरिक गुहा के अंत में इनपुट विद्युत चुम्बकीय तरंग को प्रतिबिंबित होने से रोकने के लिए, कोर बोर्ड का अंत एक ब्रॉडबैंड मिलान लोड से जुड़ा होता है, और एक तरंग-अवशोषित सामग्री को गुहा के अंत में रखा जाता है।अंत तक उत्सर्जित विद्युत चुम्बकीय तरंगों को अवशोषित करने के लिए।

अनुप्रस्थ विद्युत चुम्बकीय तरंग कोर प्लेट के साथ फैलती है, और उत्पन्न विद्युत क्षेत्र की तीव्रता कोर प्लेट पर लागू वोल्टेज के समानुपाती होती है।विभिन्न स्थानों पर क्षेत्र की ताकत कोर बोर्ड की ऊंचाई (आंतरिक कंडक्टर और जमीन के बीच की दूरी) पर भी निर्भर करती है, विभाजन के जितना करीब होगा, क्षेत्र की ताकत उतनी ही मजबूत होगी।

चिप टेस्ट इंटीग्रेटेड सर्किट जीटीईएम सेल के लिए तकनीकी पैरामीटर:

मुख्य प्रदर्शन संकेतक:

फ़्रिक्वेंसी रेंज: DC-6GHz

इनपुट प्रतिबाधा: 50Ω±5Ω (सामान्य मान: 50Ω±2Ω)

वोल्टेज स्टैंडिंग वेव अनुपात: ≤1.75 (सामान्य मान: ≤1.5)

अधिकतम इनपुट पावर: 1000W

बाहरी सेल आयाम: 4.0mx 2.2mx 2.1m (L x W x H)

अधिकतम इलेक्ट्रॉनिक विभाजन ऊंचाई: 750 मिमी

±3dB फ़ील्ड एकरूपता परीक्षण क्षेत्र: 350 मिमी x 350 मिमी

अधिकतम अनुशंसित ईयूटी परीक्षण क्षेत्र: 67.5 x 67.5 x 49 सेमी

वजन: 500 किलो